高純碲：

        1、物理性質： 

         原子量：127.60 

         電負性：2.01 

         密度：6.25 g/cm3 

         熔點：452 ℃ 

         沸點：1390 ℃ 價態(tài)：-2，+2，+4，+6 

         禁帶寬度：0.35 eV 電子遷移率：1700 cm3/(v.s) 

                                                                                     高純碲

        2、規(guī)格： 

         化學純度：

          高純碲：Te-04 純度99.99%以上，銀，鋁，鎘，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硒，硅，錫雜質總含量小于100ppm；  

          高純碲：Te-05 純度99.999%以上，銀，鋁，鎘，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硒，硅，錫雜質總含量小于10ppm； 

          超純碲：Te-06 純度99.9999%以上，銀，鈣，鋁，鎘，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硒，硅，鋅雜質總含量小于1ppm； 

          超高純碲：Te-07 純度99.99999%以上，銀，鈣，鋁，鎘，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硒，鋅雜質總含量小于0.1ppm。 

        3、物理性狀：

         塊，錠，粉。 

                                                                               高純碲

        4、用途：

         主要用于制備Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體，太陽能電池，熱電轉換元件，致冷元件，氣敏，熱敏，壓敏，光敏，壓電晶體和核輻射探測，紅外探測器等基礎材料。 

        5、包裝：

         滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝或玻璃管真空封裝。